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[19p-E310-5] 顕微ラマンイメージングによる高温領域におけるAu/Ti/Cr電極付n形GaN結晶の
残留応力分布に関する研究
キーワード：ワイドギャップ半導体、残留応力、顕微ラマンイメージング
GaN結晶は低損失かつ高速スイッチング特性をもつ大電力インバータ用半導体として期待されている。しかしながら、一般にワイドギャップ半導体によるパワー素子を200℃以上の高温で動作させるため，電極界面における局所的な応力は機械的な剥離，クラック等の信頼性低下の要因が指摘されている．本研究では,3Dラマンイメージングにより高温領域のAu/Ti/Cr 多層膜による電極付n形GaNの残留応力分布を求め、FEM（有限要素法）による解析結果と比較して，その特性を調べた．