2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

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[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2019年9月19日(木) 13:30 〜 15:30 PB3 (第二体育館)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-13] Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼす
フォーミングガスアニールの効果Ⅱ

吉田 信輝1、古岡 啓太1、久保 俊晴1、江川 孝志1 (1.名工大)

キーワード:半導体、窒化ガリウム

ゲート金属にPtを用いた作製したPt/ALD- Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTに対し、フォーミングガス雰囲気中でのゲート金属形成後の熱処理(FG-PMA)がデバイスに及ぼす電気特性、化学的特性への影響の評価