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[19p-PB3-13] Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼす
フォーミングガスアニールの効果Ⅱ
キーワード:半導体、窒化ガリウム
ゲート金属にPtを用いた作製したPt/ALD- Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTに対し、フォーミングガス雰囲気中でのゲート金属形成後の熱処理(FG-PMA)がデバイスに及ぼす電気特性、化学的特性への影響の評価