13:30 〜 15:30
[19p-PB3-16] InAlNプラズマ酸化膜のXPSによる評価
キーワード:InAlN、プラズマ、XPS
次世代通信デバイス向け材料として期待されるInAlN/GaNヘテロ構造は、高い自発分極に起因したリーク電流を抑制するため、絶縁膜との組み合わせが必須である。しかし、絶縁膜とInAlNとの界面の制御技術が確立されていない。本報告においては、界面制御層として有用であるプラズマ酸化膜について、酸化時間を変えて形成を行い、XPSにより評価した。
一般セッション(ポスター講演)
13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
2019年9月19日(木) 13:30 〜 15:30 PB3 (第二体育館)
13:30 〜 15:30
キーワード:InAlN、プラズマ、XPS