[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-9] AlGaInN/AlGaN 2DEGヘテロ構造における電極金属によるコンタクト抵抗低減の検討

〇CHEN HENG¹、斉藤 早紀¹、原田 紘希¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1.名工大)

キーワード：電極金属、コンタクト抵抗

AlGaNチャネルHFETのポテンシャルを最大限に発揮するためには、さらなるコンタクト抵抗の低減が必須である。本研究では、従来用いていたTi/Al/Ni/Au系4層オーミック金属におけるAu成分の拡散防止を狙いとして、Ti/Al/Ti/Au系金属の適用を試みコンタクト抵抗低減の可能性を調査したので報告する。