2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[19p-PB4-1~8] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2019年9月19日(木) 13:30 〜 15:30 PB4 (第二体育館)

13:30 〜 15:30

[19p-PB4-5] SiO2/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性

辻 英徳1、寺尾 豊1、細井 卓治2、張 旭芳3、矢野 裕司3、志村 考功2、渡部 平司2 (1.富士電機、2.阪大院工、3.筑波大)

キーワード:半導体、SiC、MOS