[20a-E201-1~10] 17.3 層状物質

[20a-E201-8] MoS₂-FET分子センサーにおける高感度な電気特性変化を応用した気体分子吸着前後でのMoS₂表面状態変化の観測

〇和泉 廣樹¹、高岡 毅²、Iftekharul Alam Md¹、Mamun Muhammad Shamim Al¹、田中 悠太¹、米田 忠弘² (1.東北大院理、2.東北大多元研)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、電界効果トランジスタ、表面化学

遷移金属ダイカルコゲナイドであるMoS₂を材料としたFETの開発が報告されている。我々は、分子吸着に伴うMoS₂の表面状態の変化をFETの電気特性の変化として検出することで、極微量の分子吸着にも対応できる高感度な分子センサーに応用したいと考えている。本発表では、MoS₂に吸着すると電荷移動が起きることが予想されるテトラシアノキノジメタン（TCNQ）を選択し、TCNQ分子の吸着に伴うMoS₂表面状態の変化を観測した。