2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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コードシェアセッション » 【CS.8】 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）、10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術、10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術、10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション

[20a-E216-7~13] 【CS.8】 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）、10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術、10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術、10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション

2019年9月20日(金) 10:45 〜 12:30 E216 (E216)

谷口 知大(産総研)

12:15 〜 12:30

▲ [20a-E216-13] Proposal of an eXtremely simple MRAM (X-MRAM) using magnon emission/absorption and spin-disorder scattering for readout

〇Namhai Pham1,2,3、Huynh Duy Khang Nguyen1、Takanori Shirokura1 (1.Tokyo Tech、2.Univ. Tokyo、3.JST-CREST)

キーワード：MRAM