[20a-E301-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20a-E301-1] [論文奨励賞受賞記念講演] Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode

〇前田 拓也¹、岡田 政也²、上野 昌紀²、山本 喜之²、木本 恒暢¹、堀田 昌宏³、須田 淳³ (1.京大、2.住友電気工業、3.名大)

キーワード：論文賞