[20a-E303-1~5] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20a-E303-2] 真空蒸着でのBaSi₂成膜における基板加熱条件の影響

〇(M1)矢澤 大典¹、原 康祐¹、山中 淳二¹、有元 圭介¹ (1.山梨大工)

キーワード：シリサイド半導体、真空蒸着