[20a-E318-1~11] 【CS.7】 7.2 電子ビーム応用、7.4 量子ビーム界面構造計測、9.5 新機能材料・新物性のコードシェアセッション

△ [20a-E318-8] DPC STEMを用いたGaN系半導体ヘテロ界面電場直接観察

〇(M2)遠山 慧子¹、関 岳人¹、蟹谷 裕也²、工藤 喜弘²、冨谷 茂隆²、幾原 雄一^1,3、柴田 直哉^1,3 (1.東大工、2.ソニー、3.JFCCナノ研)

キーワード：走査透過型電子顕微鏡法、電場観察、GaN系半導体

微分位相コントラスト法（DPC）は走査透過型電子顕微鏡法（STEM）の明視野領域に分割型検出器を導入し，電子線偏向を捉えることで局所電磁場を実空間直接観察する手法である．本手法は, 材料中の局所電磁場を高い空間分解能で直接観察できる手法として，近年大きな注目を集めている．しかしながら，STEMを用いた電磁場観察において，結晶中の回折条件の変化に伴う回折コントラストが電磁場情報に重畳することが問題となっていた．本研究ではGaN系半導体マルチヘテロ構造をモデルサンプルとし，DPC STEMにおける回折コントラストの問題を解決し，ヘテロ接合界面付近に現れる電場，キャリア分布の精細な観察を可能にすることを目的とする．