[20a-PB1-1~15] 9.4 熱電変換

[20a-PB1-4] ビスマステルル薄膜の熱処理によるTe離脱が及ぼす熱電性能および電子構造特性の評価

〇米澤 進¹、高尻 雅之¹ (1.東海大学院工)

キーワード：熱電変換材料、Bi-Te 薄膜、第一原理計算

本研究では，スパッタリング法により作製したBi₂Te₃薄膜を300℃以上で熱処理することにより生じるTeの離脱現象が及ぼす熱電特性の影響を評価することを目的としている．スパッタリング法によりBi₂Te₃を成膜し，アニーリング法により薄膜に熱処理を施した．300℃以上の熱処理で電気伝導率が顕著に増加し，構造解析によるパラメータを反映した計算では，熱処理によりバンドギャップが消失し半金属あるいは金属的なバンド構造を示した．