[20p-B31-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-B31-13] 窒素ドープ酸化ガリウム薄膜の成長とバンド構造評価

〇斉藤 拓海¹、加渡 幹尚²、大友 明^1,3 (1.東工大物質理工学院、2.トヨタ自動車、3.元素戦略)

キーワード：酸化ガリウム、PLD、窒素ドープ

酸化ガリウムは次世代のパワーデバイス材料として注目を集めている．我々は前回，p型化を目的としたNアクセプタードープを試み，NOガスを用いたパルスレーザ堆積法により高濃度かつ高結晶性のNドープ酸化ガリウム薄膜を報告した．本研究では，供給ガスとしてNOガスに加えて，N₂とO₂の混合ガスについて検討し，成長した薄膜の窒素濃度およびバンドギャップから各成長雰囲気におけるNドープの効果を考察した．