[20p-C207-1~16] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

△ [20p-C207-16] 粒子検出器応用に向けたNdFeAs(O,F)薄膜の細線加工及び物性評価

〇辻 泰成¹、近藤 圭祐¹、畑野 敬史¹、飯田 和昌¹、全 伸幸²、馬渡 康徳²、生田 博志¹ (1.名大工、2.産総研)

キーワード：鉄系超伝導体、粒子検出器、マイクロ細線加工

本研究では、鉄系超伝導体の中で最も高い転移温度(T_c)を有するNdFeAs(O,F)薄膜の粒子検出器応用へ向けた細線加工に取り組んだ。NdFeAs(O,F)薄膜は分子線エピタキシー法によって成長させた。この薄膜を用いてi線ステッパー及びArイオンミリングによって、厚さ40 nm×幅0.35 μm×長さ10 μmの細線の作製に成功した。この細線は加工によるT_cの劣化がほとんど見られなかった。