[20p-C309-1~10] 強誘電体材料の将来デバイスへの応用

[20p-C309-8] 強誘電体HfO2トンネル接合メモリの現状と期待

〇藤井 章輔¹ (1.東芝メモリ)

キーワード：不揮発メモリ、強誘電体、強誘電体トンネル接合