[20p-E216-8~20] 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

△ [20p-E216-14] スカーミオンによるトポロジカル・ホール効果及びトポロジカル・スピン・ホール効果

〇(M2)石田 雄一¹、近藤 憲治¹ (1.北大電子研)

キーワード：トポロジカル・ホール効果、トポロジカル・スピン・ホール効果、スカーミオン

磁気スカーミオンが存在するとき強磁性体中の遍歴電子はスカーミオンの誘起する磁場の影響を受けるため、トポロジカル・ホール効果（THE）及びトポロジカル・スピン・ホール効果(TSHE)が発現する。今回、強結合近似モデルのハミルトニアンを用いて、THEとTSHEの研究を行った結果について講演を行う。またTHE及びTSHEが示す遍歴電子のフェルミエネルギー依存性についても詳しく報告する予定である。