2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

コードシェアセッション » 【CS.8】 10.1 新物質・新機能創成(作製・評価技術)、10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術、10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術、10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション

[20p-E216-1~7] 【CS.8】 10.1 新物質・新機能創成(作製・評価技術)、10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術、10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術、10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション

2019年9月20日(金) 13:30 〜 15:15 E216 (E216)

仕幸 英治(大阪市大)

14:00 〜 14:15

[20p-E216-3] Dependence of spin orbit torque effective fields on temperature in (Fe4N, Mn4N)/NM bilayer systems

Shinji Isogami1 (1.NIMS)

キーワード:nitride magnetic film, current induced spin orbit torque

We have studied current induced spin orbit torque (SOT) effective fields for the bilayer systems with nitrides such as Fe4N : ferromagnet/{W, Pt} and Mn4N : ferrimagnet/Pt. Using the harmonic-Hall voltage measurements, the anomalous Nernst effects (ANE) of the Fe4N and the SOT effective fields of the Fe4N and Mn4N were estimated as functions of measurement temperature (T) and applied fields. The sign reversal of 2nd-harmonic voltage was obtained, which was attributed to the superposition of ANE. SOT characteristics for the nitrides will be summarized.