[20p-E303-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [20p-E303-9] 位相シフト電子線ホログラフィーを用いた動作時p-n接合ダイオードの電位・電場・電荷密度その場計測

〇(P)穴田 智史¹、山本 和生¹、佐々木 宏和²、柴田 直哉^1,3、堀 祐臣²、衣川 耕平²、今村 明博²、平山 司¹ (1.JFCC、2.古河電工、3.東大)

キーワード：その場観察、電子線ホログラフィー、p-n接合

透過電子顕微鏡用の薄膜試料への電圧印加技術と位相シフト電子線ホログラフィーを用いることで，動作時GaAs p-n接合ダイオードの電位・電場・電荷密度分布を高精度(0.02 V)且つ高空間分解能(1 nm)でその場計測することに成功した．本実験において，電圧印加に伴うp-n間の電位差，空乏層の幅，ドーパント活性度等の変化が明瞭に観測された．