[20p-E311-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-E311-6] [講演奨励賞受賞記念講演] 高濃度ドープSiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流および逆方向電界放出電流の発現

〇原 征大¹、浅田 聡志¹、前田 拓也¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：SiC、熱電界放出、電界放出

SiCにおけるオーム性接触の理解のために，金属/高濃度ドープSiC接合に関する基礎的な知見が不可欠である．本研究では， SiC SBDの障壁高さがドーピング密度の増加に伴って低下し，この低下が鏡像力効果によって定量的に説明できることを明らかにした．また，高濃度ドープSiC SBDの順方向電流-電圧特性が熱電界放出モデルにより説明でき，逆方向電流-電圧特性が熱電界放出モデルおよび電界放出モデルにより説明できることを明らかにした．