[20p-PB3-1~11] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

[20p-PB3-9] Control of terahertz wave emissions by controlling a built-in electric field in a GaAs nanostructured film

〇Masaya Marui¹, Takayuki Hasegawa¹, Yoshihito Tanaka¹ (1.Univ. of Hyogo)

Keywords:terahertz, carrier transport, plasmon

n型GaAs層（厚み3 μm）の上に非ドープ GaAs層（数百 nm）をエピタキシャル成長させたナノ構造膜をフェムト秒レーザーで励起すると、非ドープ層の内蔵電場に起因した非平衡キャリア輸送およびプラズモン-フォノン結合振動が生じ、それぞれがテラヘルツ波を放射する。我々は、非ドープ層厚および試料温度を変化させ、これら2種類のテラヘルツ波放射応答の依存性の違いを調査したのでその結果について報告する。