[21a-E216-5~11] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

▲ [21a-E216-9] Fabrication of magnetic tunnel junctions with a metastable bcc-Co₃Mn alloy

〇(M2)Kazuma Kunimatsu^1,2、Tomoki Tsuchiya^3,4、Kelvin Elphick⁵、Tomohiro Ichinose²、Kazuya Suzuki^2,4、Atsufumi Hirohata⁵、Shigemi Mizukami^2,3,4 (1.Grad. Sch. of Eng, Tohoku Univ.、2.WPI-AIMR, Tohoku Univ.、3.CSIS,CRC Tohoku Univ.、4.CSRN, Tohoku Univ.、5.Univ. of York)

キーワード：TMR