[21a-E301-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-E301-2] ICPエッチングがAlGaN/GaN界面の2DEGに与える影響の評価

〇野崎 幹人¹、寺島 大貴¹、吉越 章隆²、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.原子力機構)

キーワード：AlGaN/GaN、ICP-RIE、放射光光電子分光法

AlGaN/GaN HFETのノーマリーオフ化にはゲート下のAlGaN層を薄層化したリセス構造の形成等が必要となる。AlGaN層はICP-RIEにより比較的容易に薄層化できるが、エッチング時の損傷による特性劣化が懸念される。本研究ではICP-RIE後のAlGaN層に対し放射光光電子分光（SR-XPS）分析やホール効果測定を行い、HFET向け低損傷リセスエッチング技術について検討した。