[21p-B31-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-B31-10] ミストCVD法を用いたβ-Ga₂O₃ホモエピタキシャル成長とZnドーピング

〇永岡 達司¹、西中 浩之²、吉本 昌広² (1.トヨタ自動車、2.京工繊大)

キーワード：ミストCVD、ドープ、アクセプタ

酸化ガリウム（Ga₂O₃）は液相からの結晶成長が容易なため、その結晶基板を用いることで安価で高品質な縦型パワー半導体素子の実現が期待されている。そこで、塩化物系材料を原料としたミストCVD法を用いて、β-Ga₂O₃(010)基板上へのホモエピタキシャル成膜とZnドーピングを試みた。その結果、Znを含む良質なエピ層を得ることができ、また、その断面SCM分析により半絶縁性であることを確認した。