2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-B31-1~14] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2019年9月21日(土) 12:45 〜 16:30 B31 (B31)

川原村 敏幸(高知工科大)、池之上 卓己(京大)

16:15 〜 16:30

[21p-B31-14] Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOSキャパシタの熱処理温度による電気特性の変化

〇(M1)廣瀬 雅史1,2、生田目 俊秀2、前田 瑛里香1,2、大井 暁彦2、池田 直樹2、色川 芳宏2、岩井 秀夫2、安福 秀幸2、川田 哲2、高橋 誠3、伊藤 和博3、小出 康夫2、清野 肇1 (1.芝浦工大、2.物材機構、3.阪大)

キーワード:酸化ガリウム、MOSキャパシタ