[21p-B31-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-B31-8] THVPE法で成長したε-Ga₂O₃膜の分光エリプソメトリーによる物性評価

〇森山 匠¹、和才 容子¹、竹川 直²、村上 尚² (1.堀場テクノサービス、2.農工大院工)

キーワード：分光エリプソメトリー、ε-Ga2O3