[21p-E310-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-E310-2] 縦型GaNデバイスに向けたレーザ誘起高性能・局所オーミック電極形成法の開発

〇川崎 輝尚¹、黒瀬 範子²、荒木 努²、青柳 克信² (1.住友重機械、2.立命館大)

キーワード：ガリウムナイトライド、オーミック、レーザ

縦型GaNデバイスの高品質化を目的として電極作成時の劣化を防ぐ新しい方法として、電極となる極小部分だけに最適な強度のレーザを照射し、瞬時にアロイ化してオーミック電極を作成する方法（LOC法）を開発し、p型・n型オーミック電極の作成に成功した。このLOC法の最大の特長は、任意の場所に最適な温度と時間で必要な大きさの電極をデバイスのダメージ無しに作成できることである。