17:15 〜 17:30 △ [10p-W641-14] 素子領域へのプローブ接触が抵抗スイッチング特性に与える影響 〇落合 克行1,2、木下 健太郎1、金子 拓海1、上沼 睦典3、浦岡 行治3 (1.東理大理、2.鳥取大工、3.奈良先端大)