12:00 〜 12:15 [11a-S422-10] InP基板上引張歪GaAsSbとInGaAsの膜厚増加による結晶性劣化の比較 〇満原 学1、星 拓也1、杉山 弘樹1、後藤 高寛2、竹中 充2、高木 信一2 (1.NTT先端集積デバイス研、2.東京大学)