11:15 〜 11:30 [12a-W611-9] GaInAsP/InPリッジ埋め込み構造による半導体薄膜分布反射型レーザの微分抵抗 〇高橋 直樹1,2、中村 なぎさ1,2、吉田 崇将1,2、方 偉成1,2、雨宮 智宏1,2、西山 伸彦1,2、荒井 滋久1,2 (1.東工大、2.科学技術創成研究院)