10:00 〜 10:15
△ [10a-M114-5] レーザーアニール法を用いた低温多結晶Si薄膜の突起制御
キーワード:レーザーアニール、多結晶Si、TFT
低温ポリシリコン(LTPS)薄膜はTFTのチャネル材料として用いられている。エキシマレーザーアニーリング法を用いてLTPSを作成時に結晶粒界で突起が形成され、TFT動作時にゲートリーク電流が生じることが問題となっている。本報告では、突起が形成されたLTPS薄膜にエキシマレーザーを照射することで生じる突起の変化について報告する。
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
10:00 〜 10:15
キーワード:レーザーアニール、多結晶Si、TFT