[10a-M121-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10a-M121-7] ペルオキソ二硫酸イオン(S₂O₈^2-)含有電解液におけるGaNの電気化学特性

〇渡久地 政周¹、三輪 和希¹、堀切 文正²、福原 昇²、成田 好伸²、吉田 丈洋²、佐藤 威友¹ (1.北大量集センター、2.サイオクス)

キーワード：半導体、電気化学

半導体のウェットエッチングでは、適切な酸化剤の選択とベース溶液（酸・アルカリ）の混合比が、エッチング速度や平坦性に大きな影響を与える。ペルオキソ二硫酸イオンは、過酸化水素と比べてより強い酸化剤として作用し、窒化ガリウム (GaN) に対してもその有効性が報告されている。この系において、ペルオキソ二硫酸イオンの還元あるいは光励起（λ<310nm）により生成する硫酸イオンラジカルは、GaN表面の直接酸化に利用されることもあり、その濃度制御は重要である。本研究では、GaNのウェットエッチングにおけるペルオキソ二硫酸イオンと硫酸イオンラジカルの働きを明らかにすることを目的とし、GaN電極の電気化学特性を調査した。