[10a-M121-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10a-M121-9] 塩素中性粒子ビームによる窒化ガリウム原子層エッチング

〇菅原 健太¹、大堀 大介²、井上 和孝¹、寒川 誠二^2,3 (1.住友電工、2.東北大流体研、3.東北大AIMR)

キーワード：エッチング、中性粒子ビーム、窒化ガリウム

AlGaN/GaN HEMT作製の課題の１つに、ゲート電極形成のための絶縁膜エッチング時の加工損傷により、窒素抜け、表面荒れ等が発生によるシート抵抗増大が挙げられる。とりわけ、AlGaN層の薄層化が必須となるミリ波帯素子では、その影響がより深刻となる。そこで、中性粒子ビームエッチング法を用いた加工損傷軽減を検討した結果について報告する。