[10a-PA3-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

[10a-PA3-10] 強誘電体膜作成基板における残留プロトンの検討

〇山口 正樹^1,2、増田 陽一郎³、山﨑 美沙¹、平出 惇¹ (1.芝浦工大工、2.芝浦工大RCGI、3.八戸工大工)

キーワード：強誘電体F、プロトンビーム

強誘電体材料の高アスペクト比加工を実現する手法として，我々は集束プロトンビームを用いる方法を提案している．本報告では，試料内に残留するプロトンについて述べる．