[10a-PB2-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[10a-PB2-17] PA-MBE法によるGaN/GdN超格子構造形成とその磁気光学的特性評価 (その1)
ー GdN井戸層成長方式の検討 ー

〇岡本 旭史¹、長谷川 繁彦¹ (1.阪大産研)

キーワード：半導体