09:30 〜 11:30
[10a-PB2-4] Si基板上CaSi2薄膜のフッ化処理
キーワード:カルシウムシリサイド、シリセン、フッ化処理
Si基板上に形成されたCaSi2薄膜のフッ素系イオン液体を用いたフッ化処理による大面積なシリセン形成について検討している。SiO2によりCaSi2表面を保護することにより、CaSi2表面とイオン液体の反応を抑制しながら、面内横方向にフッ素を拡散できることを示唆する結果を得た。
一般セッション(ポスター講演)
13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性
2019年3月10日(日) 09:30 〜 11:30 PB2 (武道場)
09:30 〜 11:30
キーワード:カルシウムシリサイド、シリセン、フッ化処理