2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[10a-PB2-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2019年3月10日(日) 09:30 〜 11:30 PB2 (武道場)

09:30 〜 11:30

[10a-PB2-4] Si基板上CaSi2薄膜のフッ化処理

伊藤 健治1、大砂 哲1、中野 秀之1 (1.豊田中研)

キーワード:カルシウムシリサイド、シリセン、フッ化処理

Si基板上に形成されたCaSi2薄膜のフッ素系イオン液体を用いたフッ化処理による大面積なシリセン形成について検討している。SiO2によりCaSi2表面を保護することにより、CaSi2表面とイオン液体の反応を抑制しながら、面内横方向にフッ素を拡散できることを示唆する結果を得た。