[10a-PB3-1~14] 13.9 化合物太陽電池

[10a-PB3-7] 溶液塗布法によるCu₂Sn_1-xGe_xS₃薄膜の作製

〇山本 恭平¹、田中 久仁彦¹ (1.長岡技大)

キーワード：Cu2Sn1-xGexS3

Cu₂SnS₃ (CTS)のバンドギャップエネルギーはCu₂Sn_1-xGe_xS₃ (CTGS)のxを操作して0.84から1.54 eVまで増加可能である.本研究ではCTGS薄膜を低コストなゾルゲル硫化法によって作製した.Cu-Sn-Ge溶液を酢酸銅,塩化錫,酸化ゲルマニウムを用いて作製した.プリカーサーはH₂Sを含む雰囲気で硫化され,全サンプルでCTS (200)からCGS (200)側へシフトしたXRDピークが観測された. 600°Cで硫化したサンプルはCTGSのピークのみを示し,シフト角度からGe/(Ge+Sn)は0.5であると推測している.