[10a-S011-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[10a-S011-7] RFスパッタ法を用いたMgZnOの熱処理効果

〇久志本 真希¹、酒井 忠慶¹、出来 真斗²、本田 善央^2,3、天野 浩^2,4 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大高等研究院、4.赤﨑記念研究センター)

キーワード：透明導電膜、紫外LED、酸化物

従来の窒化物半導体光デバイスでは透明電極として ITOが用いられてきたが，紫外光領域では吸収率が増加するため、紫外発光デバイスには応用できない。そこでITO と比較して大きなバンドギャップを持つ MgZnOに着目した。本研究ではRFスパッタ法を用いた MgZnO成膜を行い、熱処理による透過特性や電気特性の変化について検討した。