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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[10a-S221-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

2019年3月10日(日) 09:00 〜 12:00 S221 (S221)

小野行徳(静岡大)、小寺哲夫(東工大)

11:30 〜 11:45

[10a-S221-10] ドリフト拡散シミュレーションにおける基盤不純物の離散性に伴った分極効果

〇(B)塚原浩平¹、吉田勝尚²、佐野伸行² (1.筑波大応理、2.筑波大数理)

キーワード：FinFET、離散不純物、分極