[10a-W833-1~9] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[10a-W833-9] 2.5MeV電子線または高速中性子線線照射したα-石英における非晶質性点欠陥の形成

Skuja Linards¹、Ollier Nadège²、〇梶原 浩一³、Smits Krisjanis¹ (1.Latvia大、2.Paris-Saclay大、3.首都大)

キーワード：alpha-石英、点欠陥、照射誘起非晶質化

代表的な結晶性シリカであるα-石英は、中性子線、電子線、イオンビームなどの粒子線照射によって非晶質化する。この過程はしばしば点欠陥の形成を伴うが、結晶性シリカ中では観察されず、非晶質化領域にのみ形成される点欠陥に着目することで、照射誘起非晶質化を追跡できる。本発表では、酸素ダングリングボンド(NBOHC)、二配位Si、格子間O₂という三種類の発光性点欠陥をプローブとし、強力な非晶質化能を有する高速中性子線、またはより穏やかな線源である2.5MeV電子線を照射したα-石英での欠陥過程をを調べた結果について報告する。