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△ [10a-W934-8] Barker-Ferry方程式を用いた高電界輸送特性解析
キーワード：ワイドギャップ、高電界、散乱内電界効果
SiC, GaN などの広い禁止帯を持つ半導体は，絶縁破壊電界が数MV/cm と高く，パワーデバイス応用に向けて，Si に代わる半導体材料として注目されている．数MV/cm 程度の印加電界のもとでは，散乱中に電子が加速される散乱内電界効果(ICFE) などの量子効果が重要な役割を演じると予想されている．本研究では，ICFEを考慮可能な輸送方程式であるBarker-Ferry 方程式を用いて，単純化した1次元半導体における高電界輸送特性を解析した．