2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

9 応用物性 » 9.1 誘電材料・誘電体

[10p-M116-1~22] 9.1 誘電材料・誘電体

2019年3月10日(日) 13:00 〜 19:00 M116 (H116)

永田 肇(東理大)、和田 智志(山梨大)、森本 貴明(防衛大)

14:30 〜 14:45

[10p-M116-7] K(Ta, Nb)Si2O7単結晶の作製と誘電特性の評価

〇(M1C)大沼 美穂1、武田 博明1、鶴見 敬章1、保科 拓也1 (1.東工大物質理工)

キーワード:強誘電体、単結晶、シリケート化合物

KNbSi2O7(KNS)はペロブスカイト構造の間にSiO4四面体が入り込んだ構造をとる新規強誘電体である。その強誘電性は、NbO6八面体内でNb5+が [001]に変位するために起こることが第一原理計算によって明らかになっており、また単結晶を用いた評価によってc軸方向に強誘電性を示すことが報告されている。本研究では、KNSのNbイオンの一部をTaで置換したKTaxNb1-xSi2O7 (KTNS, x = 0−0.3)の単結晶を作製し、その結晶構造や誘電・強誘電特性を評価した。