2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

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[10p-PA5-1~13] 6.5 表面物理・真空

2019年3月10日(日) 16:00 〜 18:00 PA5 (屋内運動場)

16:00 〜 18:00

[10p-PA5-4] MOCVD-NEA表面作製装置を用いたInGaAsPのフォトカレント特性 ―半導体材料依存性―

〇(M1)出射 幹也1、村田 文浩1、山下 海人1、七井 靖1、渕 真悟1 (1.青学大)

キーワード：半導体、フォトカソード、NEA表面