[10p-PA8-1~39] 17 ナノカーボン（ポスター講演）

[10p-PA8-22] サファイア上グラフェンの抵抗率の非接触・非破壊計測

〇藤井 高志^1,3、毛利 真一郎¹、荒木 努¹、上田 悠貴²、成塚 重弥²、岩本 敏志³ (1.立命館大、2.名城大、3.日邦プレシジョン)

キーワード：グラフェン、THz-TDS、ドルーデモデル

THz時間領域分光法（THz-TDS）により半導体材料の電気特性を、非接触・非破壊で測定する技術を提案し、SiやGaNなどに適用している。この手法を2次元材料であるグラフェンに適用し、非接触・非破壊で抵抗率の測定を試みた。THz-TDSにより得られる複素誘電率をDrude modelにより、散乱時間とDrude weightを決定し、この値から抵抗率を算出した。