[10p-PB5-1~55] 17 ナノカーボン（ポスター）

[10p-PB5-39] 1T-MoSe2挿入による 2H-MoSe2 FET のピニング緩和

〇堀井 嵩斗¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：層状物質、二セレン化モリブデン、フェルミ準位ピニング

現在，シリコン半導体素子は微細化に限界があると考えられており，層状遷移金属ダイカルコゲナイド等の層状物質がポストシリコン材料として注目を集めている。しかしそのデバイス応用の際には，金属電極接合界面におけるフェルミ準位ピニング(FLP)が大きな問題となっている。本研究では2H相の二セレン化モリブデン(MoSe₂)と金属電極の間に1T相のMoSe2を挿入した電界効果トランジスタ(FET)作製を試み，FLPの緩和に挑戦した。