[10p-PB5-1~55] 17 ナノカーボン（ポスター）

[10p-PB5-45] hBNサンドしたTMD原子層における励起子拡散

〇堀田 貴都¹、樋口 翔平¹、内山 揚介¹、上野 啓司²、渡邊 賢司³、谷口 尚³、篠原 久典¹、北浦 良¹ (1.名大理、2.埼玉大理、3.NIMS)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、励起子拡散

二次元半導体、特に遷移金属ダイカルコゲナイド原子層（TMDs）では、強い励起子効果に光学応答が支配され、TMDsの光励起は必ず励起子の生成、拡散および再結合を伴うことになる。このため励起子の拡散はTMDsの光学応答を支配する要因の一つとなる。本研究では、TMDs本来の励起子拡散を調べることを目的とし、TMDsを六方晶窒化ホウ素（hBN）でサンドした構造の作製と発光イメージングを用いた拡散係数の測定を行った。