[10p-W321-1~16] 13.9 化合物太陽電池

[10p-W321-5] Ga/(Ga+In)比が三段階法のCu過剰段階に与える影響

〇小林 拓己¹、下山 達大²、松尾 拳²、中田 和吉¹、山田 明¹ (1.東工大工学院、2.東工大工)

キーワード：三段階法、結晶成長

我々は高Ga組成CIGSにおける膜の高品質化を目的とし、３段階蒸着法をベースにした製膜条件の再検討を行っている。３段階蒸着においては、２段階目終了付近のCIGS・Cu_2-xSeの二相共存状態を経由する結晶成長が大きな特徴である。本報告では、In, Ga組成の異なるサンプル間でCu過剰組成の膜について比較観察を行い、高Ga組成CIGSの成長に関する問題点並びにその改善方法について検討した。