2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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コードシェアセッション » 【CS.5】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス/配線/集積化技術のコードシェアセッション

[10p-W631-1~12] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス/配線/集積化技術のコードシェアセッション

2019年3月10日(日) 13:45 〜 17:00 W631 (W631)

小林 正治(東大)、清水 荘雄(東工大)、藤井 章輔(東芝メモリ)

14:45 〜 15:00

[10p-W631-5] 酸化熱処理によるHfO2強誘電相消失のメカニズム

矢嶋 赳彬1、森 優樹1、西村 知紀1、鳥海 明1 (1.東大マテ)

キーワード:強誘電性、相転移、HfO2

GeドープHfO2多結晶薄膜が熱処理中に示す、強誘電相と常誘電相(モノクリニック相)との競合現象を調べることで、強誘電相が消失するメカニズムを明らかにすることを目的とした。強誘電相が熱処理中に酸化されると格子変形を引き起こし、低温域(<<600℃)でモノクリニック相へ相転移することが分かった。