[10p-W641-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [10p-W641-14] 素子領域へのプローブ接触が抵抗スイッチング特性に与える影響

〇落合 克行^1,2、木下 健太郎¹、金子 拓海¹、上沼 睦典³、浦岡 行治³ (1.東理大理、2.鳥取大工、3.奈良先端大)

キーワード：抵抗変化メモリ、SrTiO3、ペロブスカイト