[10p-W641-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [10p-W641-16] CBRAMのフォーミング過程におけるTEMその場観察

〇武藤 恵¹、酒井 慎弥¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報)

キーワード：抵抗変化メモリ、CBRAM、TEM

Cu-WO_X系CBRAMのフォーミング過程をTEMその場観察した。複数回の正電圧スイープ印加の結果、明瞭なフィラメントが形成されない、緩やかなフォーミング動作が確認できた。その際、Cu電極間ギャップの広がりが確認できたため、絶縁体中にCuが拡散していると考えられる。フォーミング後のCBRAMはset/reset動作を見せた。以上の結果は、絶縁体中にCuを適度に拡散させることで、CBRAMがフィラメントを伴わずに動作する可能性を示唆する。