2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

16 非晶質・微結晶 » 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[10p-W833-1~17] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

2019年3月10日(日) 13:15 〜 17:45 W833 (W833)

正井 博和(産総研)、吉田 憲充(岐阜大)、中岡 俊裕(上智大)

13:15 〜 13:30

[10p-W833-1] 接合したシリカガラス間のOH基拡散解析方法の改良

杉山 雄哉1、青木 裕亮1、葛生 伸1、堀越 秀春2、堀井 直宏3 (1.福井大、2.東ソー、3.福井高専)

キーワード:シリカガラス

OH基濃度の異なる2種類のシリカガラスを接合し熱処理した時のOH基の拡散を研究してきた。ボルツマン俣野の方法を用いて拡散係数を求め、拡散係数がOH基濃度に比例することが分かった。これまで、データ点に自在定規をあわせて各点に直定規を当てて微分係数を計算するというアナログな方法で解析してきた。今回、近似関数を用いたフィッティングを提案し、濃度に依存する拡散係数を容易に計算できる方法の開発を試みた。