2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

16 非晶質・微結晶 » 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[10p-W833-1~17] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

2019年3月10日(日) 13:15 〜 17:45 W833 (W833)

正井 博和(産総研)、吉田 憲充(岐阜大)、中岡 俊裕(上智大)

17:30 〜 17:45

[10p-W833-17] 低抵抗アモルファスCr2Ge2Te6の電気伝導機構

〇(D)畑山 祥吾1、須藤 祐司1、安藤 大輔1、小池 淳一1、小林 啓介2,3 (1.東北大工、2.JASRI、3.高知工科大学)

キーワード：相変化材料、Cr-Ge-Te、アモルファス